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DS0842图片预览
型号: DS0842
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内容描述: 砷化镓SP2T [GaAs SP2T]
分类和应用: 射频微波光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
   
FE ATU RE S
5 - 1 500 MHz的
0.7毫安, + 5VDC
90分贝隔离
高截点
不反光
TTL驱动程序
14引脚DIP
见DS0742 14引脚SMP
"0"
控制GND
13
14
.87
部分鉴定
.20
.22
.018
±.002
迪亚
14位
50
型号
DS0842
砷化镓SP2牛逼
SP2T
GND
12
RF COM
11
GND
10
N / C
9
+5V
8
50
角落
.600
.100
典型值
• • •
7
8
5
GND
6
GND
7
RF2
.300
1
14
.50
1
RF1
2
GND
3
GND
4
GND
N / C =无内部连接
对比示范
彩珠
销2,3, 5,6, 10,12,和13
钎焊GND引脚
.xx = .02
.xxx = .010
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM ANCE
参数
最小典型最大单位
5
条件
在+5 VDC电源
1号线
逻辑“0” = 11 PIN对PIN 1
逻辑“1” = 11 PIN对PIN 7
VIH = + 3.0V
VIL = + 0.5V
5 - 300 MHz的
300 - 1500兆赫
5 - 300 MHz的
300 - 1500兆赫
ISO ( dB)的
I.L. ( dB)的
VSWR
TYP我CA L PE的R F Ø ř MA ñ权证
在25
°C
ISO
工作频率
直流电流
控制型
0.7
TTL
1500
1.0
兆赫
mA
2.0
2.5
100
控制电流
1.8
2.0
80
插入损耗
隔离
VSWR
THRU
终止
一损失
1.6
1.5
60
60
50
1.0
1.0
1.0
1.5
75
58
1.25/1
50
50
40
25
+69
+50
+14
+20
±10
±10
1.25
2.0
µA
µA
dB
dB
dB
dB
1.4
1.0
40
1.4/1
2/1
70
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50%的TTL至90 %/ 10%的射频
90 %/ 10%或10%/ 90%的射频
峰值
500兆赫/ 350兆赫
250兆赫/ 350兆赫
5 - 100 MHz的0.1分贝比较。
100 - 1500兆赫0.1分贝比较。
TA
1.2
0.5
20
VSWR
阻抗
开关速度
过渡(上升/下降)时间
开关
(视频)
瞬变
截点
2nd
400
1000
3000
1
0
0
1
4
10
40
100
频率(MHz)
3rd
射频功率
操作
无损伤
工作温度
-55
+25
+10
+15
+30
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I (E S)
ISS 。 2