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DS18B20 参数 Datasheet PDF下载

DS18B20图片预览
型号: DS18B20
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内容描述: [温度传感器 中文资料]
分类和应用: 传感器换能器温度传感器输出元件
文件页数/大小: 7 页 / 234 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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/7
18B20 温度传感器应用解析
DoYoung
原创
5
DS28B20
芯片
ROM
指令表:
Read ROM(读 ROM)[33H]
(方括号中的为
16
进制的�½令字)
这个�½令允许总线控制器读到
DS18B20
64
�½�
ROM。只有�½�总线上只存在一个 DS18B20
的时
候才可以�½�用此指令,如果挂接不只一个,�½�通信时将会发生数据冲突。
Match
ROM(指定匹配芯片)[55H]
这个指���后面紧跟着由控制器发出了
64
�½�序列号,�½�总线上有多只
DS18B20
时,只有与控制发
出的序列号相同的芯片才可以做出反应,其它芯片将等待下一次复�½�。这条指令适应单芯片和多
芯片挂接。
Skip ROM(跳跃 ROM
指令)[CCH]
这条指令�½�芯片不对
ROM
编码做出反应,
在单总线的情况之下,
为了节省时间则可以选用此指令。
如果在多芯片挂接时�½�用此指令将会出现数据冲突,导致错误出现。
Search ROM(搜索芯片)[F0H]
在芯片初始化后,搜索指令允许总线上挂接多芯片时用排除法识别所有器件的
64
�½�
ROM。
Alarm Search(报警芯片搜索)[ECH]
在多芯片挂接的情况下,报警芯片搜索指令只对附合温度高于
TH
或小于
TL
报警条件的芯片做出
反应。只要芯片不掉电,报警状态将被保���,直到再一次测得温度什达不到报警条件为止。
DS28B20
芯片存储器操�½�指令表:
Write Scratchpad
(向
RAM
中写数据)[4EH]
这是向
RAM
中写入数据的指令,
随后写入的两个字节的数据将会被存到地址
2
(报警
RAM
TH)
和地址
3(报警 RAM
TL)
。写入过程中可以用复�½�信号中止写入。
Read Scratchpad
(从
RAM
中读数据)[BEH]
此指令将从
RAM
中读数据,读地址从地址
0
开始,一直可以读到地址
9,完成整个 RAM
数据的
读出。芯片允许在读过程中用复�½�信号中止读取,即可以不读后面不需要的字节以减少读取时间。
Copy Scratchpad
(将
RAM
数据复制到
EEPROM
中)[48H]
此指令将
RAM
中的数据存入
EEPROM
中,以�½�数据掉电不丢失。此后由于芯片忙于
EEPROM
存处理,�½�控制器发一个读时间隙时,总线上输出“0”
,�½�储存工�½�完成时,总线将输出“1”
在寄生工�½�方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持
10MS,来维持芯片工�½�。
doyoung