DS1212
非易失控制器X 16芯片
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特点
转换全CMOS RAM为非易失性
内存
无条件写保护时， V
CC
is
OUT宽容
自动切换到电池时，
电源故障OCCURS
4至16解码器可控制多达16个
CMOS RAM中
消耗电池的小于100 nA的
当前
测试电池状态上电
提供冗余电池
电源故障信号可以被用来中断
处理器供电故障
可选的5 ％或10 ％的电源失效检测
可选择28引脚PLCC表面贴装
包
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C
引脚分配
VBAT1
VCCO
托尔
PF
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
B
A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
CE7
CE8
CE9
CE10
28引脚DIP （ 600密耳）
见机甲。图科
PF
托尔
VCCO
VBAT1
VCCI
VBAT2
CE
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
12
13
14
15
16
17
18
引脚说明
A， B，C ，D
CE
CE0
-
CE15
GND
V
BAT1
V
BAT2
托尔
V
CCI
V
CCO
PF
- 地址输入
- 芯片使能
- 芯片使能输出
- 地面
- +电池1
- +电池2
- 电源容差
- + 5V电源
- 内存供应
- 电源故障
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
5
6
7
8
9
10
11
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
28引脚PLCC
见机甲。图科
描述
在DS1212非易失控制器x16的芯片是CMOS电路，解决的应用问题
将CMOS RAM中到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当检测到这样的条件，该芯片能够被抑制到完成写
保护与电池接通提供的公绵羊和不间断电源。特殊的电路
采用了低漏电CMOS的过程，能提供精确的电压检测以极低的电池
消费。
1 7
111899
B
A
GND
CE10
CE9
CE8
CE7
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
