DS1213B
SmartSocket 16K / 64K
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特点
接受标准的2K ×8或8K ×8 CMOS
静态RAM
内置锂电池保留RAM
数据
自包含的电路保障数据
数据保持时间为10年以上
适当的RAM选择
IC插座许可证升级，从2K ×8到
8K RAM
成熟的气密插座触点
工作温度范围0 ° C至70℃
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
GND 14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
V
CC
CE
28引脚智能插座
引脚说明
- 空调芯片使能
V
CC
- 开关V
CC
GND
- 地面
所有引脚除了20,26和28通过。
CE
描述
该DS1213B SmartSocket是28引脚， 600密耳DIP插座带有内置的CMOS控制电路和
嵌入式锂能源。它接受或者24针2K ×8 （下对齐）或28引脚8K ×8
JEDEC单字节宽， CMOS静态RAM 。当插座相配用的CMOS RAM中，它提供了一个
完整的解决方案与存储的波动性相关的问题。智能编程监视进入
V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，内部锂电池的能量来源是
自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。
由于SRAM采用SmartSocket节省印刷电路板空间/ SmartSocket组合
不占用比单独的SRAM的更多区域。该SmartSocket只修改针脚20 ， 26和28 ，以
nonvolatize的RAM 。所有其他引脚均通过直通。
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022900
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
