DS1216
的SmartWatch RAM DS1216B / C / D / H
的SmartWatch ROM DS1216E /女
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特点
§
§
§
§
§
保持几秒钟的百分位的轨道，
秒，分钟，小时，天，日
一个月，几个月，甚至几年
转换成标准的2K ×8可达512K ×8
CMOS静态RAM为非易失性存储器
内置锂电池维持
关注信息保存RAM数据
手表的功能是透明的RAM
手术
月和年确定的天数
在各月;闰年补偿有效期
至2100年
§
锂能源电
断开，维持保鲜状态，直到电源
施加首次
§
成熟的气密插座触点
§
满
±10%
工作范围
§
工作温度范围： 0 ° C至+ 70°C
§
精度优于
±1
/个分@
+25°C
订购信息
DS1216B ， DS1216C ， DS1216D ， DS1216E ，
DS1216F ， DS1216H
（参见图2字母后缀
标志标识。 ）
RST 1
2
3
4
5
6
7
[A2] 8
9
[A0] 10
DQ0 11
12
13
GND 14
28
V
CC
27我们
26 V
CC
B
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
CE
OE
引脚说明
RST
DQ0
A2
A0
GND
CE
OE
WE
VCC
V
CC
B
V
CC
D
-
RESET
- 数据输入/输出0 [RAM ]
- 地址位2 （读/写[ ROM ] ）
- 地址位0 （数据输入[ ROM ] ）
- 地面
- 空调芯片使能
- 输出使能
- 写使能
- 开关V
CC
为28- / 32 - RAM引脚
- 开关V
CC
24引脚RAM
- 开关V
CC
28 ， PPIN RAM
的RAM / ROM的
内存
内存
内存
只读存储器
只读存储器
内存
内存密度
16k/64k
64k/256k
256k/1M
64k/256k
64k/256k/1M
1M/4M
1 13
DS1216B/C/D/E
28引脚智能插座
部分
DS1216B
DS1216C
DS1216D
DS1216E
DS1216F
DS1216H
PCB修改要求
对于密度升级？
NO / YES
No
NO / YES
No
No
No
111901
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
