DS1218
非易失控制器
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特点
CMOS RAM转换成非易失
回忆
无条件写保护时， V
CC
is
OUT宽容
自动切换到电池时，
电源故障发生
节省空间的8引脚小型DIP / 8引脚150密耳
SOIC
消耗电池的电流小于100 nA的
引脚分配
V
CCO
NC
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CCI
V
BAT
首席执行官
CEI
引脚说明
V
CCI
V
CCO
CEI
NC
首席执行官
V
BAT
GND
- 输入+5伏电源
- 内存电源（V
CC
）供应
- 芯片使能输入
- 无连接
- 芯片使能输出
- +电池
- 地面
描述
该DS1218是CMOS电路，解决了将CMOS RAM中的应用问题成
非易失性存储器。输入电源监测超出容限。当这样的
在检测条件下，芯片使能输出被禁止以实现写保护和电池
接通电源到RAM与不间断电源。特殊的电路采用了低漏电CMOS
的过程，能提供精确的电压检测在极低的电池消耗。 8引脚微型
DIP封装保持PC板地产的需求降到最低。通过组合DS1218
非易失控制器芯片采用了全CMOS内存和锂电池， 10年的非易失性RAM
操作就可以实现。
手术
在DS1218非易失控制器执行需要电池备份一个RAM的电路功能。
首先，将开关从电池或V提供到直接功率
CCI
供应，这取决于哪一个更大。
此开关具有小于0.2V的电压降。第二个功能，所述非易失性控制器
提供的是电源故障检测。在DS1218持续监视V
CC
供应量。当V
CCI
下降到
1.26倍的电池电压，精密比较器输出一个电源失效检测信号输出到芯片使能
逻辑。写保护的第三个功能是通过保持芯片来实现使能输出信号，以
在V的0.2V
CCI
或者当检测到电池供电，电源故障情况。
在标称电源的条件下，芯片使能输出将跟随芯片使能输入，最大
为10ns的传播延迟。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
