DS1220Y
16K非易失SRAM
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特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接取代2K ×8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入存取时间快100纳秒
±10 ％的工作范围
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A10
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
该DS1220Y 16K非易失SRAM是16,384位，全静态非易失性组织为2048的RAM
字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路，该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂
能量信号源自动切换，写保护将无条件使能，防止
数据损坏。该NV SRAM可以直接代替现有的2K ×8的SRAM符合的使用
流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该DS1220Y也符合2716 EPROM的引出线或
在2816 EEPROM ，可直接替换并增强其性能。是没有限制的
能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期的次数
微处理器接口。
1第8
111899
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
