DS1220AB/AD
16K非易失SRAM
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特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接取代2K ×8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入存取时间快100纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态功耗
施加首次
±10 ％V
CC
工作范围（ DS1220AD ）
可选的± 5 ％V
CC
工作范围
(DS1220AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A10
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
该DS1220AB和DS1220AD 16K非易失性SRAM是16,384位，全静态非易失SRAM的
由8位， 2048字。每个NV SRAM均自带锂电池及
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件
使能，防止数据被破坏。该NV SRAM可以替代现有的2K ×8的SRAM的使用
直接符合流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该器件还符合的引脚排列
在2716 EPROM和EEPROM 2816 ，可直接替换并增强其性能。
有上，能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制
所需的微处理器接口。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
