DS1225AB/AD
64K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接替换的8k x 8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的28引脚DIP封装
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开,维持保鲜状态功耗
施加首次
±10 %V
CC
工作范围( DS1225AD )
可选的± 5 %V
CC
工作范围
(DS1225AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND
引脚分配
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A12
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源( + 5V )
- 地面
- 无连接
描述
该DS1225AB和DS1225AD是65,536位,全静态,组织成8192字的非易失性SRAM的
由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路,该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时,锂
能量信号源自动切换,写保护将无条件使能,防止
数据损坏。对NV SRAM可以代替直接现有的8k x 8的SRAM符合的使用
流行的单字节宽, 28引脚DIP标准。该器件还符合2764 EPROM的引脚排列和
2864 EEPROM ,可直接替换并增强其性能。是没有限制的
能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期的次数
微处理器接口。
1 10
111899