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DS1250WP-150 参数 Datasheet PDF下载

DS1250WP-150图片预览
型号: DS1250WP-150
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内容描述: 3.3V 4096K非易失SRAM [3.3V 4096k Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 219 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1250W
3.3V 4096K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
替代512k ×8易失静态RAM,
EEPROM或闪存存储器
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入存取时间快150纳秒
锂能源电
断开,维持保鲜状态,直到电源
施加首次
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
新PowerCap模块( PCM )封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
SRAM产品
- 分离的PCM可以方便
去除用常规的螺丝起子
引脚分配
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32 -PIN密封封装
740密耳EXTENDED
A18
A17
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
A15
A16
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V
BAT
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
34引脚PowerCap模块( PCM )
(使用DS9034PC POWERCAP )
引脚说明
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
1 11
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源( + 3.3V )
- 地面
- 无连接
111999