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DS1250AB-100 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS1250AB-100
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内容描述: 4096K非易失SRAM [4096k Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 219 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1250Y/AB
掉电/上电时序
参数
CE
,
WE
(t
A
:见注10 )
0
300
300
2
125
典型值
最大
单位
µs
µs
µs
ms
笔记
11
在V
IH
掉电前
符号
t
PD
t
F
t
R
t
REC
V
CC
从V转换
TP
为0V
V
CC
摆在0V至V
TP
CE
,
WE
在V
IH
上电后
(t
A
=25°C)
参数
预计数据保存时间
符号
t
DR
10
典型值
最大
单位
岁月
笔记
9
警告:
在任何情况下都是负面的下冲任幅度,允许当设备处于电池
备份模式。
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.
OE
= V
IH
或V
IL
。如果
OE
= V
IH
在写周期中,输出缓冲器保持在高阻抗状态。
3. t
WP
被指定为逻辑与
CE
WE
. t
WP
是从后者测
CE
or
WE
变低到的更早
CE
or
WE
要高。
4. t
DH
, t
DS
从前面的被测量
CE
or
WE
要高。
5.这些参数进行采样了500 pF负载而不是100 %测试。
6.如果
CE
同时出现低电平跳变或后者比
WE
低电平的转换,输出
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
7.如果
CE
高的跳变发生之前或同时用
WE
高转换,输出
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
8.如果
WE
较低或
WE
低转变发生之前或同时用
CE
低过渡,
输出缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
9.每个DS1250有一个内置在开关断开的锂源直至V
CC
首先被施加
用户。预计吨
DR
被定义为累计时间在没有Ⅴ的
CC
从时刻开始
功率是由用户首先施加。
10.所有的AC和DC电气特性是有效的在整个工作温度范围内。为
商业产品,该范围为0℃至70℃ 。工业产品( IND ) ,这个范围是-40°C至
+85°C.
11.在掉电状态上的任何引脚上的电压不得超过上的电压V
CC
.
12. t
WR1
和T
DH1
从测量
WE
要高。
13. t
WR2
和T
DH2
从测量
CE
要高。
14. DS1250 DIP模块通过美国保险商实验室( ULO )下的文件E99151认可。
DS1250的PowerCap模块正在等待U.L.检讨。联系工厂的地位。
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