DS1250Y/AB
套餐
该DS1250有两种封装： 32引脚DIP和34引脚PowerCap模块（ PCM ） 。 32针
DIP集成了锂电池，一个SRAM存储器和非易失性控制功能到一个单一的
包装与JEDEC标准的600密耳DIP引脚排列。 34引脚PowerCap模块集成了SRAM
存储器和非易失性控制到一个模块基带触点沿着用于连接到所述锂
电池在DS9034PC的PowerCap 。 PowerCap模块封装的设计使DS1250 PCM
器件表面安装不实施其备用锂电池破坏性高
高温回流焊接。经过DS1250 PCM模块底座回流焊接，一个DS9034PC
的PowerCap卡扣在PCM上的顶部，以形成一个完整的非易失SRAM模块。该DS9034PC
用键，以防止不适当的依恋。 DS1250模块基地和DS9034PC PowerCaps排序
分别与装运在分开的容器。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1250AB电源电压
DS1250Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1250AB ）
写保护电压（ DS1250Y ）
(V
CC
=5V
±=5%
为DS1250AB ）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
=5V
±=10%
为DS1250Y ）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
5.0
3.0
10.0
5.0
85
4.75
4.5
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
笔记
3 11
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
