DS1258Y/AB
128K ×16非易失SRAM
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特点
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10年最低数据保存在
没有外部电源的
数据被自动保护期间
功率损耗
独立的高字节和低字节削片
选择输入
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入存取时间快为70ns
锂能源电
断开，维持保鲜状态
通电后的首次
满
±10%
工作范围（ DS1258Y ）
可选
±5%
工作范围（ DS1258AB ）
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
40引脚封装的封装
740mil扩展
引脚说明
A0到A16
DQ0到DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能高字节
- 芯片使能低字节
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
在DS1258 128K ×16非易失（ NV ） SRAM是2,097,152位全静态的， NV SRAM的组织结构
131,072字由16位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路，可连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。 DIP封装的DS1258器件可替代的解决方案中使用了NV建设
128K ×16的内存利用各种分立元件。上有写的数量没有限制
能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。
1第8
033104
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
