DS1270Y/AB
16M非易失SRAM
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特点
在5年的最小数据保持
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态，直到电源
施加首次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1270Y ）
可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1270AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
NC
A20
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
V
CC
A19
NC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
36引脚密封封装
740密耳EXTENDED
引脚说明
A0 – A20
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1270 16M非易失性SRAM是16777216位，全静态非易失SRAM的组织结构
2097152字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。有在其上可以执行和写周期数没有限制没有
额外的支持电路所需的微处理器接口。
1第8
033104
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
