DS1306
在DS1306可在任一12小时或24小时模式下运行。位的时间寄存器6被定义为
12或24小时模式选择位。当高， 12小时模式选择。在12小时模式下，第5位是
在AM / PM位为逻辑高电平表示PM 。在24小时模式下，第5位是第二个10小时位（ 20-23
小时）。
该DS1306包含两个白天时间报警。中日间报警0时可以通过写寄存器进行设置
87H为8Ah表示。中日间报警1时可通过写寄存器8BH到8EH进行设置。位的每个时间的7
天的报警寄存器屏蔽位（表1）。当所有的屏蔽位为逻辑0 ，中日间报警的时间
才会发生，每周一次，当存储在计时寄存器中的值00H到03H匹配
存储在当天报警寄存器的时间值。报警将每天产生时位的7
天报警寄存器被设置为逻辑1的报警将产生每小时位时一天7
小时报警寄存器被设置为逻辑1。同样，报警将产生每分钟时，位7
的日，小时和分钟报警寄存器被置为逻辑1。当比特一天7 ，小时，分钟，和
秒报警寄存器被设置为逻辑1时，报警将发生的每一秒。
时间日间报警屏蔽位
表1
报警寄存器屏蔽位（第7位）
SECONDS分钟
小时
天
1
1
1
1
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
报警每秒一次
秒匹配报警时，
报警时，分，秒的比赛
报警时，小时，分钟和秒的比赛
报警时，日，小时，分钟和秒
MATCH
特殊功能寄存器
该DS1306有三个额外的寄存器（控制寄存器，状态寄存器和涓流充电器
注册）控制的实时时钟，中断和涓流充电。
控制寄存器（读0FH ，写8FH ）
BIT7
0
BIT6
WP
BIT5
0
BIT4
0
BIT3
0
BIT2
1赫兹
BIT1
AIE1
BIT0
AIE0
WP （写保护）
- 在任何写操作时钟或RAM ，此位必须为逻辑0。
高，写保护位防止写操作任何寄存器，包括位0 ，1和2的
控制寄存器。在初始上电时， WP位的状态是不确定的。因此， WP位应
试图写入到设备之前，必须清除。
1赫兹（ 1 Hz的输出使能）
- 该位控制1 Hz的输出。当此位为逻辑1时， 1 Hz的输出
被使能。当此位为逻辑0 ， 1 Hz的输出为高电平Z.
AIE0 （报警中断使能0 ）
- 当设置为逻辑1时，该位允许中断0请求标志
在状态寄存器（ IRQF0 ）位断言
INT0
。当AIE0位被设置为逻辑0时， IRQF0位呢
未启动
INT0
信号。
AIE1 （报警中断使能1 ）
- 当设置为逻辑1时，该位允许中断1请求标志
（ IRQF1 ）在状态寄存器位断言INT1 。当AIE1位被设置为逻辑0时， IRQF1位呢
不启动中断信号， INT1引脚设置为逻辑0状态。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
