DS1312
非易失控制器，带有锂电池
电池监视器
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特点
转换CMOS SRAM到非易失
内存
无条件写保护SRAM时
V
CC
超出公差
自动切换到备用电池
供应当V
CC
发生电源故障
锂电池电压监视器和
即将提供先进的预警
电池故障
在低电平信号，电池电量不足的情况
电池报警输出信号
可选-5 ％或-10 ％掉电检测
节省空间的8引脚DIP和SOIC封装
可选择16引脚SOIC和20引脚TSSOP
版本时，断电复位处理器
出现的过程中按住处理器复位
系统上电
-40 ° C至工业级温度范围
+85°C
V
CCO
V
BAT
托尔
GND
引脚分配
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CCI
BW
首席执行官
CEI
V
CCO
V
BAT
托尔
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CCI
BW
首席执行官
CEI
DS1312采用8引脚DIP
(300-mil)
NC
V
CCO
NC
V
BAT
NC
托尔
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
V
CCI
RST
NC
BW
首席执行官
NC
CEI
DS1312S - 2的8引脚SOIC
(150-mil)
NC
V
CCO
NC
V
BAT
NC
NC
托尔
NC
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
V
CCI
RST
NC
NC
BW
NC
首席执行官
NC
CEI
DS1312S 16引脚SOIC
(300-mil)
DS1312E 20引脚TSSOP
引脚说明
V
CCI
V
CCO
V
BAT
CEI
首席执行官
托尔
BW
RST
GND
NC
- + 5V电源输入
- SRAM电源输出
- 备份电池输入
- 芯片使能输入
- 芯片使能输出
- V
CC
公差选择
- 电池报警输出
（漏极开路）
- 复位输出（开漏）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1312非易失控制器，带有电池监测器是CMOS电路，解决了应用程序
将CMOS RAM为非易失性存储器中的问题。输入电源监视的输出
超差情况。当检测到这样的状态下，芯片使能受到抑制，以完成写
保护与电池接通，以提供不间断电源的RAM 。特殊的电路
采用了低漏电CMOS工艺，能提供精确的电压检测以极低的电池
消费。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
