DS1330Y/AB
256K非易失SRAM
带电池监视器
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特点
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在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据掉电时自动保护
电源监控器复位处理器时，
V
CC
功率损失发生，并持有处理器
在V重置
CC
斜升
剩余容量电池监控检查
每日
读取和写入存取时间快为70ns
没有写次数限制
典型待机电流50mA
升级为32K ×8 SRAM ， EEPROM或
FL灰
锂电池与电路断开，
维持保鲜状态加电了
第一次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1330Y ）
或可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1330AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
PowerCap模块（ PCM ）封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失（ NV ）
SRAM产品
- 分离的PowerCap可以方便
去除用常规的螺丝起子
引脚分配
BW
NC
NC
RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
GND V
BAT
34引脚PowerCap模块（ PCM ）
（使用DS9034PC POWERCAP ）
引脚说明
A0 – A14
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
RST
BW
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 复位输出
- 电池警告
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1330 256K NV SRAM是262,144位，全静态， NV组织为32,768字×8的SRAM
位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，它不断
监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂电池
自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。
此外， DS1330设备有专门的电路，用于监视V的状态
CC
和状态
内置锂电池。在PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面
地安装，并且，通常与DS9034PC PowerCap配合形成一个完整的NV SRAM模块。
该装置可代替的32k ×8的SRAM ，EEPROM或闪存器件。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
