DS1553 64kB的，非易失，年度-2000兼容时钟RAM
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 6.0V
-40 ° C至+ 85°C
260 ℃10秒（ DIP封装） （注8）
见IPC / JEDEC标准J- STD- 020A的
表面贴装器件
这是一个额定值，器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±10%
或5V
±10%
建议的直流工作条件
（在整个工作范围内）
参数
逻辑1电压输入所有
V
CC
= 5V ±10%
V
CC
= 3.3V ±10%
逻辑0电压输入所有
V
CC
= 5V ±10%
V
CC
= 3.3V ±10%
符号
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
民
2.2
2.0
-0.3
-0.3
典型值
最大
V
CC
x
+0.3V
V
CC
x
+0.3V
+0.8
+0.6
单位
V
V
笔记
1
1
1
1
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ±10 ％ ，在整个工作范围内。 ）
参数
符号
主动电源电流
TTL待机电流（
CE
= V
IH
)
CMOS待机电流
(
CE
³
V
CC
- 0.2V)
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流（任何输出）
输出逻辑1电压
(I
OUT
= -1.0mA ）
输出逻辑0电压
(I
OUT
= 2.1毫安， DQ0-7输出） ;
(I
OUT
= 7.0毫安，
IRQ
/ FT和
RST
输出）
写保护电压
电池切换电压
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL1
V
OL2
V
PF
V
SO
4.20
V
BAT
-1
-1
2.4
0.4
0.4
4.50
民
典型值
15
1
1
最大
50
3
3
+1
+1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
1
1
1, 5
1
1, 4
笔记
2, 3
2, 3
2, 3
9 19
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
