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DS1556WP-120 参数 Datasheet PDF下载

DS1556WP-120图片预览
型号: DS1556WP-120
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内容描述: 1M ,非易失, Y2K兼容的时钟RAM [1M, Nonvolatile, Y2K-Compliant Timekeeping RAM]
分类和应用: 计时器或实时时钟微控制器和处理器
文件页数/大小: 20 页 / 483 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1556
1M ,非易失, Y2K兼容
时钟RAM
www.maxim-ic.com
特点
§
集成的NV SRAM ,实时时钟
( RTC ) ,水晶,电源失效控制电路,
和锂电池
时钟寄存器被相同接入到
静态RAM ;这些寄存器是位于
16个顶级RAM单元
世纪字节寄存器(即, Y2K兼容)
拥有超过10年的完全不挥发
在没有电源的操作
精确的上电复位
可编程看门狗定时器和RTC
报警
BCD编码的年,月,日,星期,时,
分,并具有自动leap-秒
年补偿,有效期为一年
2100
电池电压指示标志
电源失效写保护允许
±10%
V
CC
电源容差
锂能源电
断开,维持保鲜状态
通电后的首次
也可在工业温度
范围:-40 ° C至+ 85°C
销刀豆网络gurations
顶视图
RST
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
32
达拉斯
2
半导体
31
3
DS1556
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
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10
23
11
22
12
21
13
14
15
16
20
19
18
17
V
CC
A15
IRQ / FT
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
§
§
§
§
§
§
DIP封装
§
§
§
§
IRQ / FT
A15
A16
RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
达拉斯
半导体
DS1556
X1
GND
®
V
BAT
X2
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A13
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A11
A10
A9
A8
A7
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A5
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A1
A0
PowerCap模板
(使用DS9034PCX的PowerCap )
的PowerCap是达拉斯半导体公司的注册商标。
注意:
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息,请点击这里:
1的20
REV : 101804