DS1631/DS1631A/DS1731
表5.配置寄存器位说明
位名称
（用户访问）
DONE温
转换完成
（只读）
功能说明
电状态= 1 。
DONE = 0，温度转换正在进行中。
DONE = 1，温度转换完成。
电状态= 0 。
THF = 0测量的温度未超过该值
存储在T
H
自注册开机。
THF = 1。在一些点由于电测量的温度
已经超过存储在T的值是较高的
H
注册。 THF遗体
为1，直到它被覆盖了0由用户时，电源循环，或
一个软件POR指令发出。
电状态= 0 。
TLF = 0所测量的温度不低于所述的为低
存储在T值
L
自注册开机。
TLF = 1.由于电测得的温度有些点
已经超过存储在T的值是较低的
L
注册。 TLF依然是
1 ，直到它被覆盖， 0由用户时，电源循环或
软件POR指令发出。
电状态= 0 。
NVB = 1，写入EEPROM存储器正在进行中。
NVB = 0 NV存储器不忙。
电状态= 1 。
设置转换，T
H
和叔
L
分辨率（见表6） 。
电状态= 1 。
设置转换，T
H
和叔
L
分辨率（见表6） 。
写到此位电状态=最后一个值。
POL = 1中。T
OUT
为高电平有效。
POL = 0牛逼
OUT
为有效低电平。
写到此位电状态=最后一个值。
1SHOT = 1，单次转换模式。在开始转换T指令发起
一个单一的温度转换，然后将设备进入一个低
功耗待机状态。
1SHOT = 0连续转换模式。在开始转换牛逼
命令将启动连续温度转换。
THF -温度高旗
（读/写）
TLF -温度低标志
（读/写）
NVB - NV存储器忙
（只读）
R1 -第1位
（读/写）
R0 -分辨率位0
（读/写）
POL * -T
OUT
极性
（读/写）
1SHOT * γ变换模式
（读/写）
*存储在EEPROM中
表6.解析配置
R1
0
0
1
1
R0
0
1
0
1
分辨率转换时间
（位）
（最大）
9
93.75ms
10
187.5ms
11
375ms
12
750ms
9 14
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
