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DS1643-150 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS1643-150
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内容描述: 非易失时钟RAM [Nonvolatile Timekeeping RAM]
分类和应用: 时钟
文件页数/大小: 11 页 / 83 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1643
数据保持方式
当V
CC
是在额定范围(V
CC
> 4.5伏)的
作为由读如上所述DS1643可接
或写周期。然而,当V
CC
是pow-以下
ER-故障点V
PF
(点处写保护时)
内部时钟寄存器和RAM从AC-受阻
塞斯。这是通过抑制AC-内部完成
通过了CE和CE2信号塞斯。当V
CC
瀑布下方
内部电池供电的电平,输入功率是
从V切换
CC
引脚连接到内部电池和
时钟活动,RAM和时钟数据从保持
电池,直到V
CC
返回到额定电平。
内置电池长寿
该DS1643有一个自包含的锂源动力
被设计成用于时钟活动提供能量,并
时钟和RAM中的数据保持在V
CC
供应
不存在。该内部电源的能力
足以将DS1643连续供电的
生活中所安装的设备的。对于specifi-
阳离子而言,预期寿命为10年,在25℃
与在不存在内部时钟振荡器运行
V的
CC
力。该DS1643是从达拉斯运
半导体与时钟振荡器被关闭,所以
预期寿命,应考虑到从一开始
时间的时钟振荡器,首先导通。现实生活中EX-
在DS1643的pectancy将比10长得多
多年以来没有内置锂电池的能量所配置
SUMED当V
CC
是否存在。实际上,在大多数应用
中,请在DS1643的预期寿命将近似
三方共同等于保质期(预期的使用寿命
锂离子电池与锂附空载) BAT-
tery这可能被证明是长达20年。
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