DS1643/DS1643P
DS1643寄存器映射 - BANK1
表2
ADDRES
S
B
7
1FFF
-
1FFE
X
1FFD
X
1FFC
X
1FFB
X
1FFA
X
1FF9
OSC
1FF8
W
OSC
=停止位
W
= WRITE位
B
6
-
X
X
FT
X
-
-
R
B
5
-
X
-
X
-
-
-
X
数据
B
4
B
3
B
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
X
X
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
X
X
X
R =读位
X =未使用
B
1
-
-
-
-
-
-
-
X
功能
B
0
-
YEAR
00-99
-
MONTH
01-12
-
日期
01-31
-
天
01-07
-
小时
00-23
-
分钟
00-59
-
秒
00-59
X
控制
A
FT =频率测试
注意：
所有显示的“X”位不专用于任何特定的功能，并且可以被用作普通RAM比特。
检索数据从RAM或时钟
的DS1643是在读模式下，每当
WE
（写使能）为高和
CE
（芯片使能）是低的。该
器架构允许的纹波通过访问任何的在NV SRAM中的地址位置。有效
数据将在T内的DQ引脚
AA
之后的最后一个地址输入是稳定的，从而提供了
CE
和
OE
访问时间和状态感到满意。如果
CE
or
OE
访问时间得不到满足，有效数据将
可在芯片的后者允许访问（叔
CEA
），或者，在输出使能访问时间（t
OEA
） 。的状态
数据输入/输出引脚（DQ）是由控制
CE
和
OE
。如果输出为t之前激活
AA
中，数据
线被驱动到一个中间状态，直到吨
AA
。如果地址输入，而改变
CE
和
OE
仍然有效，输出数据有效期为输出数据保持时间（t
OH
），但将会进入不确定
直到下一个地址的访问。
将数据写入RAM或时钟
在DS1643处于写模式时
WE
和
CE
处于其活性状态。写的是开始
参考后者发生过渡
WE
or
CE
。该地址必须在整个持有有效
该循环。
CE
or
WE
必须返回非活动最少的t
WR
之前，另一次读的起始或
写周期。数据必须是有效的吨
DS
之前写的结尾，并保持有效吨
DH
之后。在一个
典型应用中，
OE
信号将是在写周期期间高。不过，
OE
设置可以是有源
那小心与数据总线，以避免总线冲突。如果
OE
低前
WE
低转换
数据总线可以成为活性与由地址输入定义的读出的数据。在低过渡
WE
将
然后禁用输出吨
WEZ
后
WE
变为有效。
数据保持方式
当V
CC
是在额定范围（V
CC
＆ GT ; 4.5伏）与上面所描述的DS1643可接
读取或写入周期。然而，当V
CC
下面是电源故障点V
PF
（点处写
保护时）内部时钟寄存器和RAM是从访问被封锁。这是通过
在内部通过经由所述禁止访问
CE
信号。此时的上电复位输出信号（
RST
）会
驱动低电平有效，并保持有效，直到V
CC
返回到正常的水平。当V
CC
低于
内部电池供电的电平，输入功率是从V切换
CC
引脚连接到内部电池和
时钟活动，RAM和时钟数据从电池直至V保持
CC
返回到标称
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
