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DS1643-100 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS1643-100
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内容描述: 非易失时钟RAM [Nonvolatile Timekeeping RAM]
分类和应用: 计时器或实时时钟微控制器和处理器外围集成电路双倍数据速率
文件页数/大小: 11 页 / 83 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1643
DS1643
非易失时钟RAM
特点
引脚分配
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
CE2
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
外形,装配和功能与MK48T08兼容
时钟RAM
集成的NV SRAM ,实时时钟,晶振,加电
故障控制电路和锂电池
标准的JEDEC单字节宽, 8K ×8静态RAM的引脚
时钟
寄存器进行访问,等同于静态
内存。这些寄存器是居住在八顶部
RAM的位置。
没有权力
在超过10年的运作完全非易失性
120纳秒至150纳秒访问时间
石英精度
±1
分月@ 25 ° C,厂
CALIBRATED
BCD编码的年,月,日,星期,时,分,
并与闰年补偿秒有效期至
2100
28 -PIN密封封装
( 700英里扩展)
电源失效
写保护允许
±10%
V
CC
电源容限
订购信息
DS1643–XXX
28引脚DIP模块
-120 120 ns访问
-150 150 ns访问
描述
该DS1643是8K ×8非易失性静态RAM与
全功能的实时时钟,这是在这两个访问
一字节的格式。非易失计时RAM是
相当于引脚和功能的任何JEDEC标准
8K ×8 SRAM 。该装置也可以很容易被取代的
在ROM , EPROM和EEPROM插槽,分别提供读/
写非易失性并增加了实时时钟的
功能。实时时钟信息驻留在
8至上RAM单元。 RTC寄存器
包含年,月,日,星期,时,分,和SE-
以24小时BCD格式conds数据。更正为
月份和闰年的天是自动进行的。
RTC时钟寄存器双缓冲来避免
不正确的数据的访问可能会出现在时钟上调
日周期。双缓冲系统还可以防止
时间上的损失倒数计时非
按访问时间寄存器的数据减弱。在DS1643
也包含它自己的电源故障电路, dese-
脉冲编码设备时的V
CC
电源是一个彻头彻尾的容
ANCE条件。此功能可以防止数据丢失,从
不可预知的系统运行低V带来的
CC
为避免错误的访问和更新周期。
ECopyright
1995年,由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权,请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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