DS1644LPM
DS1644LPM
非易失时钟RAM
特点
引脚分配
NC
NC
NC
PFO
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
34引脚薄型模块
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
•
与DS1643AL计时向上兼容
RAM来实现更高密度的内存
•
集成的NV SRAM ，实时时钟，晶振，加电
故障控制电路和锂电池
•
低调可插模块
- 255万包高度
•
时钟
寄存器进行访问，等同于静态
内存。这些寄存器是居住在八顶部
RAM的位置。
没有权力
•
在超过10年的运作完全非易失性
•
120纳秒至150纳秒访问时间
•
石英精度
±1
分月@ 25 ° C，厂
CALIBRATED
引脚说明
A0–A14
CE
OE
WE
V
CC
GND
DQ0-DQ7
NC
PFO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
+5伏
地
数据输入/输出
无连接
电源故障输出
•
BCD编码的年，月，日，星期，时，分，
并与闰年补偿秒有效期至
2100
•
电源失效写保护允许
±10%
V
CC
Pow-
呃电源容限
订购信息
DS1644L -XXX薄型模块
–120
–150
120 ns访问
150 ns访问
描述
该DS1644L是需要一个低轮廓模块
PLCC表面贴装插座，在功能
相当于DS1644 。该DS1644L是32K ×8
非易失性静态RAM采用了全功能的实时时钟
这两者都是在一个字节宽度格式访问。该
实时时钟信息驻留在8上层
最夯的地点。 RTC寄存器包含一年，
月，日，星期，时，分，秒的数据
24小时BCD格式。更正的一天
月份和闰年自动进行。实时时钟
时钟寄存器是双缓冲，以避免IN-访问
正确的数据可能会出现在时钟更新周期。
双缓冲系统还可以防止时间上的损失
计时倒数有增无减通过AC-
塞斯时间寄存器数据。该DS1644L还含有
其自身的电源故障电路，释放器件
当V
CC
电源是一个彻头彻尾的容忍条件
化。此功能可以防止数据丢失的不可预测
能够系统运行低V带来的
CC
作为武侠
避免访问和更新周期。
ECopyright
1995年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
