DS1743/DS1743P
将数据写入RAM或时钟
在DS1743处于写模式时
WE
和
CE
处于其活性状态。写的是开始
参考后者发生过渡
WE
，ON
CE
。该地址必须在整个持有有效
该循环。
CE
or
WE
必须返回非活动最少的t
WR
之前，另一次读的起始或
写周期。数据必须是有效的吨
DS
之前写的结尾，并保持有效吨
DH
之后。在一个
典型应用中，
OE
信号将是在写周期期间高。不过，
OE
设置可以是有源
那小心与数据总线，以避免总线冲突。如果
OE
低前
WE
转换低
数据总线可以成为活性与由地址输入定义的读出的数据。在低过渡
WE
将
然后禁用输出吨
WEZ
后
WE
变为有效。
数据保持方式
5伏器件是完全可访问和可写入数据，或仅当V读
CC
大于V
pF的。
然而，当V
CC
低于电源故障点，V
PF
,
（点处写保护时）内
时钟寄存器和SRAM从任何接入受阻。这时（仅安装PowerCap ）电源失效复位
输出信号（
RST ）被驱动为有效，并保持有效，直到V
CC
返回到正常的水平。当V
CC
下降到低于电池开关点V
SO
（电池电源电平）时，器件的功率是从V切换
CC
销到
备用电池。 RTC的操作与SRAM的数据被从电池直至V保持
CC
返回到
标称水平。在3.3伏的器件是完全可访问和可写入数据或仅当V读
CC
is
大于V
pF的。
当V
CC
低于电源故障点，V
PF
,
对设备的访问被禁止。在这
一次电源故障复位输出信号（ RST ）被驱动为有效，并保持有效，直到V
CC
返回到
标称水平。如果V
PF
小于VSO
,
设备电源从V切换
CC
到备用电源（Ⅴ
BAT
)
当V
CC
低于V
pF的。
如果V
PF
大于VSO ，设备电源从V切换
CC
到备份
电源（V
BAT ）
当V
CC
低于VSO 。 RTC的操作与SRAM的数据被从电池保持
直到V
CC
返回到额定电平。在RST （安装PowerCap只）信号是漏极开路输出，
需要上拉了起来。除了对RST ，所有控制，数据和地址信号必须在关闭时
V
CC
断电。
电池长寿
在DS1743具有被设计为用于时钟活性和时钟，并提供能量的锂电源
RAM中的数据保持在V
CC
供给不存在。该内部电源的能力
足够的DS1743连续供电为在它安装在设备的使用寿命。为
规范的目的，预期寿命为10年，25
°
下与内部时钟振荡器运行
没有V的
CC
力。每个DS1743是从达拉斯半导体附带的锂能源
源断开，保证精力充沛的能力。当V
CC
首先应用的水平大于
V
PF
中，锂电池启用备用电池的操作。实际寿命
因为没有锂电池的能量被消耗DS1743将超过10年更长的时间当V
CC
is
目前。
电池监视器
在DS1743持续监视电池内部的电池电压。电池标志位（第7位）的
当天寄存器用于指示所述电池的电压电平范围。该位是不可写也应该
读取时始终为1 。如果0是永远存在的，疲惫不堪的锂电池便表示两者
RTC和RAM中的内容是值得怀疑的。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
