DS1845
双路，非易失电位器和存储器
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特点
两个线性电位器
−
DS1845-010 1 10K ， 100位&
1 10K ， 256位
−
DS1845-050 1 10K ， 100位&
1 50K ， 256的体位
−
DS1845-100 1 10K ， 100位&
1 10万， 256位置
256字节的EEPROM存储器
通过对数据的访问和控制电位器
2线接口
外部写使能引脚，以保护数据和
电位器设定
非易失性雨刷存储在2个字节的
地址空间
从3V或5V电源供电
包装：倒装芯片封装， 16球
STPBGA ，采用14引脚TSSOP
工业工作温度： -40〜
+85ºC
编程温度： 0°C至+ 70°C
引脚分配
SDA
SCL
A0
A1
A2
WP
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
H0
W1
H1
L1
W0
L0
14引脚TSSOP （ 173万）
14引脚倒装芯片（ 100× 100密耳）
16 -BALL STPBGA （4 ×4mm）所
见机甲。绘制部
引脚说明
V
CC
GND
SDA
SCL
WP
A0, A1, A2
H0, H1
L 0, L1
W0, W1
- 3V或5V电源输入
- 地面
- 2线串行数据
输入/输出
- 2线串行时钟输入
- 写保护输入
- 地址输入
- 高端电位器
- 低端电位器
- 雨刮器的终端
电位器
描述
在DS1845双路，非易失电位器和存储器包括一个= 100位置线性变化
电位计， 1 = 256的位置的线性锥形电位器， 256字节的EEPROM存储器，和一个2线
界面。该装置提供用于设定偏压的电压和电流控制的一种理想的方法
使用最小电路的应用。 EEPROM存储器允许用户存储配置
对于一个特定的系统或设备或校准数据，以及提供该电位器滑动的控制
设置。任何类型的用户信息可驻留在第一248字节的这个存储器。接下来的两
EEPROM存储器的地址是对电位器的设置，而其余的6个字节的存储器是
版权所有。这些保留和电位器的寄存器不应该用于数据存储。访问该
EEPROM是通过工业标准2线总线。接口I / O引脚由SDA和SCL的。该
在DS1845的抽头位置，以及EEPROM的数据时，可以使用写硬件写保护
保护（WP ）输入引脚。
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051900
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
