DS1866
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2.对于V
CC
= 5V ±10 ％，最大V
IL
= + 0.8V 。对于V
CC
3.0 ± 10% V
IL
= + 0.6V 。对于V
CC
= 2.7伏V
IH
= 2.0伏特降到最低。
3.电阻器的输入电压不能低于地面或超过V
CC
由量如表中所示。
4.最大电流规格基于并行端口输入P0，P1的变化率，并
P2.
5.待机电流规格适用时， P0 ， P1 ， P2的逻辑输入指定的V驱动的内
IH
或V
IL
的水平。
6.有效期只有25 ° 。
C
7. DS1866的端至端电阻容差可以预期转变温度。
但是，这种变化不会超过的部分的标称电阻值的± 20％。
8.绝对容差是用来比较测量的抽头电压与预期抽头电压为
通过抽头位置决定的。在DS1866指定为±1.0 dB的绝对容差。
9.点触抽头公差用于确定连续抽头位置之间的电压变化。该
DS1866被指定为±1.0 dB的抽头到抽头公差规范。
10的-3 dB为DS1866截止频率特性为1 MHz。
11.电容值适用于25 ℃。
12.本说明书中是指并行端口输入的变化，以稳定的擦拭器之间的时间差
过渡。
DS1866订购信息
订购数量
DS1866
DS1866Z
包
8L DIP
8L SOIC （ 150 - MIL ）
操作
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
VERSION
10kΩ
10kΩ
5
102199
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
