DS2155
图24-4 。软件选择终止，纵联保护
VCC
F1
100/110/120
Ω
TW ISTED PAIR
S3
S7
F2
S4
2:1
T3
1
S1
特林
VCC
68
µF
2
Dallas Semiconductor公司
T1 / E1 / J1 SCT或LIU
VCC
F3
100/110/120
Ω
TW ISTED PAIR
S5
S8
F4
S6
1:1
设计说明：
1
2
T1
1.0
µF
TTIP
DVDD
0.01
µF
2
DVSS
0.1
µF
2
RTIP
T2
T4
1
S2
RRING
TVDD
0.1
µF
2
TVSS
RVDD
0.1
µF
2
RVSS
60
Ω
60
Ω
0.1
µF
电抗器是可选的，但应包括在必要时F或共模噪声降低。
去耦电容必须放置在靠近冰开发电源引脚
表24 -B 。组件列表（软件选择终止，纵
保护）
名字
F1至F4
S1和S2
S3, S4, S5, S6
S7和S8
T1和T2的
T3和T4
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
描述
1.25A慢熔保险丝
25V （最大）瞬态抑制器
180V （最大）瞬态抑制器
40V （最大值）瞬态抑制器
变压器1 ： 1CT 1 ： 2CT （ 3.3V ， SMT ）
双共模扼流圈（ SMT ）
T3和T4是可选的。欲了解更多信息，请联系电信集团的支持，在
可在备用变压器零件编号和制造商的列表
从变压器的布局到网络接口是至关重要的。走线应至少为25
密耳宽和由至少150密耳，从其它电路线分开。在本部分的面积
电路不应包含电源层。
有些T1（从未在E1 ）应用程序的源出或吸入功率从网络侧中心抽头的
在接收/发送变压器。
的接地迹线连接到S2 / S3中对和S4 / S5对应该至少为50密耳宽
要进行多余的电流从一个纵向动力交叉事件。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
