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    2N3904 参数 Datasheet PDF下载

    2N3904图片预览
    型号： 2N3904
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： TO- 92塑封装晶体管 [TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 183 K
    品牌： DAYA [ DAYA ELECTRIC GROUP CO., LTD. ]
     浏览型号2N3904的Datasheet PDF文件第2页  
    TO- 92塑封装晶体管
    2N3904
    晶体管（ NPN ）
    TO-92
    特征
    切换NPN硅外延平面晶体管和
    扩增fi er应用
    互补型， PNP晶体管2N3906是
    推荐
    这个晶体管也是在SOT -23情况下，与现有
    类型名称MMBT3904
    1.发射器
    2.基
    3.收集
    1 2 3
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    60
    40
    6
    0.2
    0.625
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止
    集电极截止
    发射极截止
    当前
    当前
    当前
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE1
    直流电流增益
    h
    FE2
    h
    FE3
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    TEST
    条件
    民
    60
    40
    6
    0.1
    0.1
    0.1
    100
    60
    30
    0.3
    0.95
    300
    35
    35
    200
    50
    V
    V
    MH
    Z
    ns
    ns
    ns
    ns
    400
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    μA
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 40V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =1V,
    V
    CE
    =1V,
    V
    CE
    =1V,
    I
    C
    =10mA
    I
    C
    =50mA
    I
    C
    =100mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    V
    CE
    =20V,I
    C
    =10mA,f=100MHz
    V
    CC
    =3V,V
    BE
    =0.5V,
    I
    C
    =10mA,I
    B1
    =1mA
    V
    CC
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    I
    B1
    =I
    B2
    =1mA
    分类
    秩
    范围
    OF
    h
    FE1
    O
    100-200
    Y
    200-300
    G
    300-400

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