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型号: 2SB772
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 263 K
品牌: DAYA [ DAYA ELECTRIC GROUP CO., LTD. ]
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数据表
PNP硅功率晶体管
2SB772
PNP硅功率晶体管
描述
该2SB772是PNP型硅晶体管适合于3 ,输出级
2W音频放大器,稳压器, DC-DC转换器和继电器
驱动程序。
封装图(单位:mm )
8.5 MAX 。
3.2 ±0.2
3.8 ±0.2
2.8 MAX 。
特点
低饱和电压
V
CE ( SAT )
≤ −0.5
V(I
C
=
−2
A,I
B
=
−0.2
A)
优秀ħ
FE
线性度和高ħ
FE
h
FE
= 60 〜400 (V
CE
=
−2
V,I
C
=
−1
A)
由于需要较少的痉挛空间小而薄的封装,
减少了麻烦用于连接到散热器。
无绝缘套管要求。
12.0最大。
2.5 ±0.2
13.0最小。
绝对最大额定值
最高温度
储存温度
−55
至+ 150°C
结温
150 ° C最大
最大功率耗散
1.0 W
总功率耗散(T
A
= 25°C)
10 W
总功率耗散(T
C
= 25°C)
最大电压和电流(T
A
= 25°C)
集电极 - 基极电压
−40
V
V
CBO
集电极到发射极电压
−30
V
V
首席执行官
发射器基极电压
−5.0
V
V
EBO
集电极电流( DC )
−3.0
A
I
C( DC )
I
C(脉冲)
集电极电流(脉冲)
−7.0
A
脉冲测试PW
350
µ
S,占空比
2%
12 TYP 。
0.55
+0.08
–0.05
0.8
+0.08
–0.05
1.2典型。
2.3 TYP 。
2.3 TYP 。
1 :发射器
2 :收集器:连接到安装平面
3 :基本
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
直流电流增益
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极饱和电压
基本饱和电压
符号
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
测试条件
V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−20
mA
V
CE
=
−5.0
V,I
C
=
−0.1
A
V
CB
=
−10
V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CB
=
−30
V,I
E
= 0 A
V
EB
=
−3.0
V,I
C
= 0 A
I
C
=
−2.0
A,I
B
=
−0.2
A
I
C
=
−2.0
A,I
B
=
−0.2
A
分钟。
30
60
典型值。
220
160
80
55
马克斯。
400
单位
V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−1.0
mA
兆赫
pF
−1.0
−1.0
µ
A
µ
A
V
V
−0.3
−1.0
−0.5
−2.0
脉冲测试: PW
350
µ
S,占空比
2%
分类h及
FE
范围
R
60至120
Q
100至200
P
160到320
E
200至400
备注
测试条件: V
CE
=
−2.0
V,I
C
= 1.0 A
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