DB- 3 ， DB- 4
硅双向DIACS
玻璃钝化，三层，两台终端，轴向引线，
密封单IGBT是特别设计
触发晶闸管。他们表现出的低导通电流
在导通电压，因为他们承受峰值脉冲电流。
的导通对称性是内4伏的典型
DB - 3 32 V ， DB - 4的击穿电压40 V单IGBT ，这些都是
对于旨在用于晶闸管相控，电路
灯调光，通用电机速度控制和热
控制。
存储温度范围
T
S
- 40
O
C至+150
O
C
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
最大。 0.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
XXX
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
工作温度范围T
J
- 40
O
C至+100
O
C
最大额定值在50
O
C环境
峰值电流（ 10 μs的时间， 120周期重复率）I
P
± 2 A最大。
峰值输出电压e
P
3 ±伏特最大值。
1)
特点在T
a
= 25
O
C
参数
击穿电压
导通电流
转折电压对称性
动态击穿电压
ΔI
=
[I
BR
到我
F
= 10马]
热阻结到环境空气
DB-3
DB-4
符号
V
(BR)1
和V
(BR)2
I
(BR)1
我
(BR)2
[V
(BR)1
]-[V
(BR)2
]
|
ΔV
± |
R
θJA
分钟。
28
35
-
-
5
-
马克斯。
36
45
200
3.8
-
60
O
单位
V
µA
V
V
C / W
DIAC
负载可达1500 W
3.3 K
60~
120 V
0.1
u
F
20
ep
120伏交流
60赫兹
200 K
TRIAC
1)
电路是否峰值输出电压测试
0.1
u
F
100 V
双边
TRIGGER
DIAC
典型DIAC可控硅全波相
控制电路
DAYA [ DAYA ELECTRIC GROUP CO., LTD. ]
