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型号: 2N3773
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内容描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 234 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N3773
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为高功率音频,磁头定位器,
和其他线性应用
.
TO-3
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
.135
最大
(3.43)
1.573
最大
(39.96)
.875(22.23)
.759(19.28)
.450(11.43)
.250(6.35)
.480(12.19)
.440(11.18)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(连续)
集电极电流(峰值)
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEX
V
EBO
I
C
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
160
140
160
7
16
30
150
+200
-65到+200
单位
V
V
V
V
A
A
W
o
o
.225(5.72)
.205(5.20)
.169(4.30)
.151(3.84)
.043(1.09)
.038(0.97)
1.197(30.40)
1.177(29.90)
.681(17.30)
.655(16.64)
2
.440(11.18) 1.050(26.67)
.420(10.67) 1.011(25.68)
1
案例:收藏家
.169(4.30)
.151(3.84)
C
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
集电极 - 发射极电压维持
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEX ( SUS)的
V
CER ( SUS)
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
CEX
I
CBO
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
140
160
150
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5
1.5
40
4
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
10
2
10
2
5
1.4
4
2.2
60
-
-
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
-
-
A
-
-
测试条件
I
C
= 0.2A ,我
B
=0
I
C
= 0.1A ,V
BE (OFF)的
= 1.5V ,R
BE
=100Ω
I
C
= 0.1A ,R
BE
=100Ω
V
CE
= 120V ,我
B
=0
V
CE
=140V, V
BE (OFF)的
=1.5V
V
CE
=140V, V
BE (OFF)的
= 1.5V ,T
C
=150 C
V
CB
= 140V ,我
E
=0
V
BE
= 7V ,我
C
=0
I
C
= 8A ,我
B
=0.8A
I
C
= 16A ,我
B
=3.2A
I
C
= 8A ,V
CE
=4V
I
C
= 8A ,V
CE
=4V
I
C
= 16A ,V
CE
=4V
V
CE
= 100V , T = 1.0秒,不重复
I
C
= 1A ,V
CE
= 4V , F = 1kHz时
I
C
= 1A , F = 50kHz的
o
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
是/ B
h
fe
I H
fe
I
2%
第二击穿集电极与
基地正向偏压
小信号电流增益
共发射小信号的幅度,
短路,正向电流传输比
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比