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    2N6517 参数 Datasheet PDF下载

    2N6517图片预览
    型号： 2N6517
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者： NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 213 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2N6517
    分立半导体
    作者： NPN外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为需要高击穿的应用
    电压。
    TO-92
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    2典型值
    .500
    民
    (12.70)
    o
    o
    钉扎
    1 - 发射极
    2 - 基
    3 - 集电极
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    350
    350
    5
    500
    625
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    o
    o
    .050
    典型值
    (1.27)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    3 2 1
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    C
    .050
    o
    o
    5
    典型值。
    5
    典型值。
    （ 1.27 ） TYP
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    CE(sat)3
    V
    BE(sat)1
    民
    350
    350
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    30
    30
    20
    40
    -
    2%
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    50
    50
    0.30
    0.35
    0.50
    0.75
    0.85
    0.90
    2
    -
    -
    200
    200
    200
    6
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    -
    -
    -
    -
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 250V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =3mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =3mA
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 30mA时V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 20V ， F = 20MHz的
    V
    CB
    = 20V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿Volatge
    收藏家Cuto FF电流
    EmitterCutoff电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    (1)
    基射极饱和电压
    基射极电压上
    (1)
    (1)
    V
    BE(sat)2
    V
    BE(sat)3
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    f
    T
    C
    ob
    直流电流增益
    (1)
    跃迁频率
    输出电容
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    380μs ，占空比

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