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    2SA812 参数 Datasheet PDF下载

    2SA812图片预览
    型号： 2SA812
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 228 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2SA812
    分立半导体
    作者PNP外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为音频放大器应用。
    SOT-23
    钉扎
    1 - 基地
    2 - 发射极
    3 - 集电极
    1
    3
    .020(0.50)
    .012(0.30)
    .063(1.60)
    .055(1.40)
    .108(0.65)
    .089(0.25)
    2
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    -60
    -50
    -5
    -100
    150
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    o
    o
    .091(2.30)
    .067(1.70)
    .045(1.15)
    .034(0.85)
    .118(3.00)
    .110(2.80)
    .051(1.30)
    .035(0.90)
    .026(0.65)
    .010(0.25)
    .0043(0.11)
    .0035(0.09)
    C
    .004
    最大
    (0.10)
    .027(0.67)
    .013(0.32)
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    (1)
    民
    -60
    -50
    -5
    -
    -
    -
    -0.55
    90
    -
    -
    2%
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.18
    -0.62
    200
    180
    4.5
    最大
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    -0.3
    -0.65
    600
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    -
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -60V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-6V
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-6V
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-6V
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿Volatge
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    跃迁频率
    输出电容
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    380μs ，占空比

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