2SB857 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB857
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内容描述：	作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	1 页 / 196 K
品牌：	DCCOM [ DC COMPONENTS ]

直流分量CO 。， LTD 。

2SB857

分立半导体

作者PNP外延平面型晶体管技术规格

描述

专为低频功率放大器。

TO-220AB

钉扎

1 - 基地

2 =收藏家

3 =发射器

.405(10.28)

.380(9.66)

.185(4.70)

.173(4.40)

Φ.151

典型值

.055(1.39)

Φ(3.83)

.045(1.15)

.295(7.49)

.220(5.58)

绝对最大额定值

=25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（连续）

集电极电流（峰值）

总功率耗散（T

=25 C)

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-70

-50

-5

-4

-8

+150

-55到+150

单位

.625(15.87)

.570(14.48)

1 2 3

.350(8.90)

.330(8.38)

.640

典型值

(16.25)

.055(1.40)

.045(1.14)

.037(0.95)

.030(0.75)

.562(14.27)

.500(12.70)

.100

典型值

(2.54)

.024(0.60)

.014(0.35)

尺寸以英寸（毫米）

电气特性

特征

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

(1)

民

-70

-50

-5

典型值

最大

-1

320

单位

µA

兆赫

测试条件

= -10μA ，我

= -50mA ，我

= -10μA ，我

= -50V ，我

= -2A ，我

=-0.2A

= -1A ，V

=-4V

= -0.1A ，V

=-4V

= -1A ，V

=-4V

= -500mA ，V

= -4V ， F = 100MHz的

集电极 - 基极击穿Volatge

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

(1)

跃迁频率

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

(1)

CE （ SAT ）

BE（上）

FE1

FE2

380μs ，占空比

分类h及

FE2

秩

范围

60~120

100~200

160~320

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