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    2SD313 参数 Datasheet PDF下载

    2SD313图片预览
    型号： 2SD313
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者： NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 195 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2SD313
    分立半导体
    作者： NPN外延平面型晶体管技术规格
    描述
    设计用于通用放大器和开关
    应用程序。
    TO-220AB
    钉扎
    1 - 基地
    2 =收藏家
    3 =发射器
    .405(10.28)
    .380(9.66)
    .185(4.70)
    .173(4.40)
    Φ.151
    典型值
    .055(1.39)
    Φ(3.83)
    .045(1.15)
    .295(7.49)
    .220(5.58)
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    总功率耗散（T
    C
    =25 C)
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    60
    60
    5
    3
    2
    30
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    W
    o
    o
    .625(15.87)
    .570(14.48)
    1 2 3
    .350(8.90)
    .330(8.38)
    .640
    典型值
    (16.25)
    .055(1.40)
    .045(1.14)
    .037(0.95)
    .030(0.75)
    .562(14.27)
    .500(12.70)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .024(0.60)
    .014(0.35)
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    (1)
    民
    60
    60
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    40
    40
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    5
    1
    1
    1.5
    320
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 60V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =0.2A
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 0.1A ，V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 0.5A ，V
    CE
    =5V
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    跃迁频率
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    f
    T
    380μs ，占空比2 ％
    分类h及
    FE1
    秩
    范围
    C
    40~80
    D
    60~120
    E
    100~200
    F
    160~320

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