BU406 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU406
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内容描述：	作者： NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	1 页 / 194 K
品牌：	DCCOM [ DC COMPONENTS ]

直流分量CO 。， LTD 。

BU406

分立半导体

作者： NPN外延平面型晶体管技术规格

描述

在电视的水平输出设计用于和

开关应用。

TO-220AB

钉扎

1 - 基地

2 =收藏家

3 =发射器

.625(15.87)

.570(14.48)

.405(10.28)

.380(9.66)

.185(4.70)

.173(4.40)

Φ.151

典型值

.055(1.39)

Φ(3.83)

.045(1.15)

.295(7.49)

.220(5.58)

绝对最大额定值

=25

特征

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功率耗散（T

=25 C)

结温

储存温度

等级

200

+150

-55到+150

单位

.350(8.90)

.330(8.38)

1 2 3

.640

典型值

(16.25)

符号

首席执行官

EBO

英镑

.055(1.40)

.045(1.14)

.037(0.95)

.030(0.75)

.562(14.27)

.500(12.70)

.100

典型值

(2.54)

.024(0.60)

.014(0.35)

尺寸以英寸（毫米）

电气特性

特征

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

首席执行官

CES

EBO

(1)

民

200

典型值

最大

1.2

125

单位

测试条件

= 100mA时我

=400V

= 6V ，我

= 5A ，我

=0.5A

= 5A ，我

=0.5A

= 0.5A ，V

=5V

= 2A ，V

=5V

= 2A ，V

=5V

集电极 - 发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

(1)

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

FE1

FE2

FE3

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

380μs ，占空比

分类h及

FE2

秩

范围

30~45

35~85

75~125

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