欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    MJD32C 参数 Datasheet PDF下载

    MJD32C图片预览
    型号： MJD32C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 244 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    MJD32C
    分立半导体
    作者PNP外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为通用放大器使用，
    开关应用。
    TO-252(DPAK)
    钉扎
    1 - 基地
    2 =收藏家
    3 =发射器
    .268(6.80)
    .252(6.40)
    .217(5.50)
    .205(5.20)
    2
    .228(5.80)
    .213(5.40)
    1
    .035
    最大
    (0.90)
    .110(2.80)
    .087(2.20)
    .091
    典型值
    (2.30)
    .024(0.60)
    .018(0.45)
    2
    3
    .059(1.50)
    .035(0.90)
    .063(1.60)
    .055(1.40)
    .077(1.95)
    .065(1.65)
    .022(0.55)
    .018(0.45)
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功率耗散（T
    C
    =25 C)
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    -100
    -100
    -5
    -3
    15
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    o
    o
    .032
    最大
    (0.80)
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    I
    CES
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    (1)
    民
    -100
    -100
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    10
    3
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -20
    -50
    -1
    -1.2
    -1.8
    -
    50
    -
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    测试条件
    I
    C
    = -1mA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -30mA ，我
    B
    =0
    V
    CE
    =-100V, V
    BE
    =0
    V
    CE
    = -60V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-375mA
    I
    C
    = -3A ，V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -3A ，V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -0.5A ，V
    CE
    = -10V ， F = 1MHz的
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    f
    T
    跃迁频率
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    380μs ，占空比
    2%

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6