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型号: MJE13007
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内容描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 196 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
MJE13007
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为高压,高速功率开关
电感电路。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
.625(15.87)
.570(14.48)
.350(8.90)
.330(8.38)
1 2 3
.640
典型值
(16.25)
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
o
C)
等级
700
400
9
8
4
80
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
符号
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CEX
BV
首席执行官
I
CEX
I
EBO
V
CE(sat)1
(1)
700
400
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
0.1
0.1
1
2
3
1.2
1.6
40
30
单位
V
V
mA
mA
V
V
V
V
V
-
-
测试条件
I
C
= 1mA时, V
BE (OFF)的
=1.5V
I
C
=10mA
V
CE
=700V, V
BE (OFF)的
=1.5V
V
EB
=9V
I
C
= 2A ,我
B
=400mA
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=2A
I
C
= 2A ,我
B
=400mA
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 2A ,V
CE
=5V
I
C
= 5A ,V
CE
=5V
集电极 - 发射极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
h
FE1
基射极饱和电压
(1)
直流电流增益
(1)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
-
-
-
-
10
10
-
-
h
FE2
380μs ,占空比2 %