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MPSA44图片预览
型号: MPSA44
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内容描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 213 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
MPSA44
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为需要高击穿的应用
电压。
TO-92
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
400
400
6
300
625
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)1
(1)
400
400
6
-
-
-
-
-
-
-
40
50
45
40
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.5
0.1
0.35
0.35
0.75
0.75
-
300
-
-
6
单位
V
V
V
µA
µA
µA
V
V
V
V
-
-
-
-
pF
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 400V ,我
E
=0
V
CE
=400V, V
BE
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0.1mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
V
CB
= 20V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
C
ob
直流电流增益
(1)
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比