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S1D 参数 Datasheet PDF下载

S1D图片预览
型号: S1D
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内容描述: 表面贴装硅整流技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 427 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
 浏览型号S1D的Datasheet PDF文件第2页  
直流分量CO 。 , LTD 。
R
S1A
THRU
S1M
整流器SPECIALISTS
表面贴装硅整流技术规格
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 1.0安培
特点
*主义理想的表面安装应用程序
*低漏电流
*玻璃钝化结
SMB ( DO- 214AA )
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*码头:焊接镀,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
*极性:标
*安装位置:任意
*重量: 0.093克
.083(2.11)
.075(1.91)
.185(4.70)
.160(4.06)
.060(1.52)
.030(0.76)
.220(5.59)
.200(5.08)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在TA = 75
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在1.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间(注3 )
典型Thermaesistance (注2 )
典型结电容(注1 )
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100
o
C
o
S1A
50
35
50
S1B
100
70
100
S1D
200
140
200
S1G
400
280
400
1.0
30
1.1
5.0
100
2.5
12
30
-65到+ 175
S1J
600
420
600
S1K
800
560
800
S1M
1000
700
1000
单位
安培
安培
uAmps
微秒
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
TRR
RÛJL
C
J
T
J,
T
英镑
C / W
pF
0
C
注: 1.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2.热阻(结到环境) , 0.2x0.2in
2
(5X5mm
2
)铜垫给每个终端。
3.测试条件: IF = 0.5A , IR = 1.0A , IRR = 0.25A 。
342
出口
EXI
出口
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