TIP112 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TIP112
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内容描述：	作者： NPN达林顿晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管达林顿晶体管开关PC局域网
文件页数/大小：	1 页 / 196 K
品牌：	DCCOM [ DC COMPONENTS ]

直流分量CO 。， LTD 。

TIP112

分立半导体

作者： NPN达林顿晶体管技术规格

描述

专为通用放大器使用，

低速开关的应用程序。

TO-220AB

钉扎

1 - 基地

2 =收藏家

3 =发射器

.405(10.28)

.380(9.66)

.185(4.70)

.173(4.40)

Φ.151

典型值

.055(1.39)

Φ(3.83)

.045(1.15)

.295(7.49)

.220(5.58)

绝对最大额定值

=25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（连续）

集电极电流（峰值）

总功率耗散（T

=25 C)

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

+150

-55到+150

单位

.625(15.87)

.570(14.48)

1 2 3

.350(8.90)

.330(8.38)

.640

典型值

(16.25)

.055(1.40)

.045(1.14)

.037(0.95)

.030(0.75)

.562(14.27)

.500(12.70)

.100

典型值

(2.54)

.024(0.60)

.014(0.35)

尺寸以英寸（毫米）

电气特性

特征

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

CBO

首席执行官

EBO

(1)

民

100

500

典型值

最大

2.5

2.8

200

单位

测试条件

= 1mA时，我

= 30mA时我

= 100V ，我

= 50V ，我

= 5V ，我

= 2A ，我

=8mA

= 2A ，V

=4V

= 1A ，V

=4V

= 2A ，V

=4V

= 10V ， F =为0.1MHz

集电极 - 基极击穿Volatge

集电极 - 发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

(1)

CE （ SAT ）

BE（上）

FE1

FE2

输出电容

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

380μs ，占空比

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