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DB808 参数 Datasheet PDF下载

DB808图片预览
型号: DB808
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内容描述: 8 AMP硅桥式整流器 [8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 406 K
品牌: DEC [ DIOTEC ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号DB808的Datasheet PDF文件第2页  
DIOTEC电子股份有限公司。
18020霍巴特大道,单元B
加迪纳, CA 90248 U.S.A
电话: ( 310 ) 767-1052传真: ( 310 ) 767-7958
数据表号BRDB - 800-1C
ABDB-800-1C
8 AMP硅桥式整流器
特点
机械规格
实际尺寸
DT
DB804
虚空免抽真空钎焊模具为最大
机械强度和热耗散
(焊接空洞:典型< 2 % ,芯片面积最大< 10 % )
BUILT -IN应力救济机制
卓越的可靠性和性能
浪涌过载额定值到400安培高峰
系列DB800 , DB810和ADB804 - ADB808
BH
UL认可 - 文件# E124962
符合RoHS
机械数据
案例:模压环氧树脂( UL防火等级94V- 0 )
终端:圆形镀银铜针
焊接:每MIL -STD 202方法208保证
极性:标示于案件的一面;正极引线的切角
安装位置:任意。通过提供# 6螺丝孔
重量: 0.18盎司( 5.4克)
符号
BL
BH
D1
LL
MILLIMETERS
18.5
6.4
12.2
最大
19.6
7.6
13.2
22.2
1.2
不适用
1.3
LD
最大额定值&电气特性
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系列号
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最大直流阻断电压
工作峰值反向电压
最大峰值经常反向电压
RMS反向电压
在V功率耗散
IP微克
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V
V
热能(额定值融合)
峰值正向浪涌电流。单60Hz的半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法) 。 T = 150℃
@ T = 50℃ (注1 )
正向平均整流电流
@T = 50℃ (注2 )
E
It
安培
美国证券交易委员会
最大雪崩电压
最大正向电压(每二极管)在4安培DC
V
@ T = 25℃
@T = 125℃
V
I
典型热阻
E31
n
PQR UO ñ流明
h
结到环境(注2 )
结到外壳(注1 )
R
R
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最小绝缘击穿电压(电路到外壳)
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额定V最大反向电流
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最小雪崩电压
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接线工作和存储温度范围
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安培
°C
A
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P
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在V连续功率耗散
@ T = 80℃ (散热器温度)
地区
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100广场浪区
权证
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参数(测试条件)
符号
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Ay
|
A{
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+
LL
LD
D1
英寸
+
D1
_
BL
0.73
0.25
0.48
最大
0.77
0.3
0.52
0.875
0.048
不适用
0.052
BL
评级
单位
S R
T' Q
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y
x
D
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C
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