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DR756图片预览
型号: DR756
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内容描述: 25 AMP铅MOUNT BUTTON二极管 [25 AMP LEAD MOUNT BUTTON DIODES]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 83 K
品牌: DEC [ DIOTEC ELECTRONICS CORPORATION ]
   
DIOTEC电子股份有限公司
18020霍巴特大道,单元B
加迪纳, CA 90248 U.S.A
电话: ( 310 ) 767-1052传真: ( 310 ) 767-7958
寻找: MR750 , MR751 , MR752 ,
MR754 , MR756更换?
25 AMP铅MOUNT BUTTON二极管
特点
机械规格
建议替换FOR MR751 , MR752 ,
MR754 , MR756二极管
虚空免抽真空钎焊模具为最大
机械强度和热耗散
(焊接空洞:典型< 2 % ,芯片面积最大< 10 % )
大型模具大功率重型
性能
具有极高的耐热处理能力
低热应力
专有JUNCTION钝化
卓越的可靠性和性能
低正向压降
机械数据
案例:模压环氧树脂( UL防火等级94V -O )
表面处理:所有外部表面耐腐蚀
和接触区域是容易焊
最大的铅焊接温度: 210℃ , 8"分之3
案例10秒5 lbs紧张
安装位置:任意
极性:颜色频带或案例二极管符号
重量: 0.09盎司( 2.5克)
o
D
A
芯片尺寸:
0.165" X 0.165"
E
MILLIMETERS
暗淡
最大
英寸
0.332
0.234
0.050
0.215
0.165
0.990
5 ° NOM
最大
0.342
0.246
0.053
0.225
0.175
1.010
L
M
F
B
A
B
D
E
F
L
M
5 ° NOM
L
R
C
HS
o
OM
T
IAN
PL
最大额定值&电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数(测试条件)
系列号
最大直流阻断电压
最大RMS电压
最大峰值经常反向电压
非重复性峰值反向电压(半波,单相,
60赫兹峰)
正向平均整流电流@ T
C
=150 C
峰值正向浪涌电流( 8.3ms单半正弦波
叠加在额定负载)
最大正向电压降,在25安培直流电, 8"分之3信息
最大正向电压降100安培
最大平均直流反向电流
在额定阻断电压DC
接线工作和存储温度范围
注: 1 )两个导致散热器,长度相等
@ T
A
= 25 C
o
@ T
A
= 100 C
o
o
符号
评级
,4%# ,4%# ,4%#
,4% # " ,4% #$
单位
V
RRM
V
RWM
V
DC
V
RSM
I
O
I
FSM
V
F
V
F
I
RM
R
G
JC
T
J
,T
英镑
60
120
240
25
500
1.1 (典型值1.05 )
1.25
1
50
0.9
-65到+175
安培
480
720
50
100
200
400
600
m
A
° C / W
°C
最大热阻,结到外壳(注1 )