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DTC2059 参数 Datasheet PDF下载

DTC2059图片预览
型号: DTC2059
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内容描述: P沟道20 V (D -S )的MOSFET [P-Channel 20 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 295 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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D
www.daysemi.jp
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
100
0.12
I
D
= 4.9 A
0.10
I
S
- 源电流( A)
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
T
J
= 150 °C
10
0.08
0.06
T
J
= 125 °C
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
正向二极管电压与温度的关系
1.2
1.1
40
50
导通电阻与栅极至源极电压
1.0
I
D
= 250 μA
0.9
0.8
0.7
10
功率(W)的
V
GS ( TH)
(V)
30
20
0.6
0.5
- 50
0
10
-3
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
10
-1
1
时间(s)
10
100
600
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
100
限于由R
DS ( ON)
*
10
I
D
- 漏电流( A)
单脉冲功率
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
BVDSS有限公司
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
4