N沟道
30-V
（ D- S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.033在V
GS
= 4.5 V
0.045在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
a
www.din-tek.jp
DTC3058
特点
•
无卤
Q
g
（典型值）。
10 NC
•
TrenchFET
®
功率MOSFET
6.8
6.8
RoHS指令
应用
•负载开关，用于便携式设备
柔顺
D
D
G
G
S
D
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
E，F
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
D
I
DM
I
S
极限
30
± 20
6.8
a
6
a
6.8
A， B，C
6
A， B，C
30
5.2
2.1
B，C
6.3
4
2.5
B，C
1.6
B，C
- 55〜 150
260
单位
V
A
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
热电阻额定值
参数
A，C ，D
最大结点到环境
° C / W
15
20
稳定状态
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。套餐的限制，T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为95 ° C / W 。
Ë 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
F。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
t
≤
5s
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
最大
50
单位
1
DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
