DTE2312 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTE2312
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内容描述：	N通道20 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 358 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.daysemi.jp

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.0236在V

= 10 V

0.0263在V

= 4.5 V

0.0361在V

= 2.5 V

(A)

4.5

7.9 NC

（典型值）。

特点

•

无卤

• TrenchFET

功率MOSFET

•新的耐热增强型PowerPAK

SC- 70封装

- 小占位面积

- 低导通电阻

• 100 % R

经过测试

RoHS指令

柔顺

TO-226AA

(TO-92)

应用

- 负荷开关

顶视图

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

极限

± 12

4.5

A， B，C

4.5

A， B，C

4.5

2.9

B，C

3.5

B，C

2.2

B，C

- 55〜 150

260

单位

最大功率耗散

, T

英镑

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

注意事项：

一。包装有限公司

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

≤

稳定状态

符号

thJA

thJC

典型

5.3

最大

6.5

单位

° C / W

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