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    DTL19P10 参数 Datasheet PDF下载

    DTL19P10图片预览
    型号： DTL19P10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道100 -V （ DS ） MOSFET无卤选项可用 [P-Channel 100-V (D-S) MOSFET Halogen-free Option Available]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1712 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTL19P10的Datasheet PDF文件第8页  
    P沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
    特点
    I
    D
    (A)
    - 19
    - 15.7
    Q
    g
    （典型值）。
    16.5 NC
    www.din-tek.jp
    DTL19P10
    产品概述
    V
    DS
    (V)
    - 100
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.120在V
    GS
    = - 10 V
    0.160在V
    GS
    = - 4.5V
    •
    无卤素选项可用
    • TrenchFET
    ®
    功率MOSFET
    • UIS和R
    g
    经过测试
    RoHS指令
    柔顺
    应用
    •在中间的DC / DC电源有源钳位
    TO-251
    S
    G
    D
    摹ð S
    顶视图
    P沟道MOSFET
    绝对最大额定值
    T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 70 °C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 70 °C
    T
    C
    = 25 °C
    T
    A
    = 25 °C
    L = 0.1 mH的
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 70 °C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 70 °C
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    极限
    - 100
    ± 20
    - 19.0
    - 12.6
    - 15
    A，B
    - 10
    A，B
    - 20
    - 13.2
    - 3.0
    A，B
    15
    11.25
    52
    33
    3.7
    A，B
    2.4
    - 50至150
    260
    单位
    V
    连续漏电流（T
    J
    = 150 °C)
    I
    D
    漏电流脉冲
    连续源极 - 漏极二极管电流
    雪崩电流
    单脉冲雪崩能量
    I
    DM
    I
    S
    I
    AS
    E
    AS
    A
    mJ
    最大功率耗散
    P
    D
    W
    工作结存储温度范围
    焊接建议（峰值温度）
    注意事项：
    一。表面安装在1" X 1" FR4板。
    B 。 T = 10秒。
    T
    J
    , T
    英镑
    °C
    1

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