DTL2N60/DTP2N60/DTU2N60
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
18
3.0
8.9
单身
600
3.9
www.din-tek.jp
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•符合RoHS指令2002/95 / EC
D
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
G
S
G
ð S
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
600
± 20
2.0
1.3
8.0
0.33
0.020
74
2.0
4.2
42
2.5
3.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
E
AS
重复性雪崩电流
a
I
AR
a
重复性雪崩能量
E
AR
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
P
D
e
最大功率耗散( PCB安装)
T
A
= 25 °C
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 37 mH的,R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 2.0 A(见图12 ) 。
C.我
SD
≤
2.0 A , di / dt的
≤
40 A / μs的,V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
1