DTL9503_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTL9503_13
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内容描述：	P沟道30 V （ DS ） MOSFET符合RoHS指令2002/95 / EC [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 1868 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.din-tek.jp

DTL9503

P沟道30 V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

- 30

DS （ ON）

()

0.013在V

= - 10 V

0.016在V

= - 4.5 V

(A)

- 80

特点

•符合RoHS指令2002/95 / EC

可用的

RoHS指令*

柔顺

TO-220AB

TO-263

摹ð S

顶视图

ð S

顶视图

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

栅源电压

连续漏电流（T

= 175 °C)

漏电流脉冲

雪崩电流

重复性雪崩能量

功耗

L = 0.1 mH的

= 25 ° C（ TO- 220AB和TO -263 ）

= 25 ° C（ TO- 263 ）

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

± 20

- 80

- 65

- 240

- 60

180

187

3.75

- 55〜 175

°C

单位

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

结到环境

结到外壳

注意事项：

一。包装有限。

B 。占空比



1 %.

Ç 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

ð 。看到SOA曲线电压降额。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。

印刷电路板安装（ TO- 263 ）

符号

自由空气（ TO- 220AB ）

thJA

thJC

极限

62.5

0.8

单位

° C / W

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